1 модуль памяти DDR4, объем модуля 4 ГБ, форм-фактор SODIMM, 260-контактный, частота 2666 МГц, CAS Latency (CL): 19 
 
Модель: M471A5244CB0-CTD
 
Характеристики оперативной памяти Samsung M471A5244CB0-CTD
Тип памяти: DDR4
Форм-фактор: SODIMM 260-контактный
Тактовая частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 МБ/с
Объем: 1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECC: нет
Буферизованная (Registered): нет
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Количество чипов каждого модуля: 4, односторонняя упаковка
Напряжение питания: 1.2 В
Количество ранков: 1
Гарантия: 24 месяца

Эта модель на сайте Samsung.com
 
Категория: Компьютерная техника - Модули памяти - Samsung